LENOVO 4XB7A90102 - ThinkSystem M.2 PM9A3 960GB Read Intensive NVMe PCIe 4.0 x4 NHS SSD
Qualität, aber günstiger.
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Refurbished – was ist das?
Ein refurbished Produkt versteht sich in der Regel als ein gebrauchtes Produkt. Jedes refurbished Produkt von Renewtech wurde professionell geprüft und in Prima-Zustand wiederhergestellt, wobei fehlerhafte Teile durch originale, funktionsfähige ersetzt wurden, um sicherzustellen, dass alles funktioniert und perfekt aussieht, bevor es wieder erneut verpackt wird um wieder auf den Markt verkauft zu werden. Auch wenn die refurbished Produkte normale Abnutzung aufweisen können, garantieren wir, dass das Produkt immer:
• geprüft, getestet und professionell wiederhergestellt durch zertifizierte Techniker ist
• gelöscht von Daten und Software ist – unmöglich wiederherzustellen!
• gut verpackt und in elektrostatische Entladungsmaterialien (ESD) versendet ist
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Garantie.
Auf alle unsere Produkte gewähren wir eine einjährige Garantie ab dem Kaufdatum, sofern nicht anders angegeben. Diese Garantie deckt alle Material- und Verarbeitungsfehler ab, die bei normalem Gebrauch des Produkts auftreten können.
Lesen Sie hier mehr über unsere Garantie: Allgemeine Geschäftsbedingungen
Beschreibung
LENOVO 4XB7A90102 - ThinkSystem M.2 PM9A3 960GB Read Intensive NVMe PCIe 4.0 x4 NHS SSD
Der leistungsstarke NVMe PCIe 4.0 Solid-State-Drive von Lenovo bietet eine zuverlässige und effiziente Speicherlösung für anspruchsvolle Server- und Arbeitsstationsumgebungen. Mit einer Speicherkapazität von 960 GB und dem M.2 Formfaktor ist dieses Laufwerk optimal für Unternehmen, die auf hohe Leistung und Kompatibilität angewiesen sind. Die Unterstützung für End-to-End-Datenschutz und Hardwareverschlüsselung gewährleistet eine sichere Datenverwaltung, während die ECC-Technologie zusätzlich für die Integrität der Daten sorgt.
Dank der fortschrittlichen V-NAND-Speichertechnologie erreicht das Laufwerk beeindruckende sequentielle Latenzzeiten von bis zu 20 Mikrosekunden beim Lesen und Schreiben, was die Effizienz in datenintensiven Anwendungen erheblich steigert. Die robuste Bauweise ermöglicht einen Betrieb bei Temperaturen von 0 bis 70 °C und einer relativen Luftfeuchtigkeit von 5 bis 95 %, was die Einsatzmöglichkeiten in verschiedenen klimatischen Bedingungen erweitert. Mit einer Stoßfestigkeit von 1500 G und einer Vibrationsresistenz von 20 G im außerbetrieblichen Zustand eignet sich das Laufwerk auch für herausfordernde Einsatzorte.
Durch eine mittlere Betriebsdauer zwischen Ausfällen (MTBF) von 2 Millionen Stunden bietet diese SSD eine bemerkenswerte Zuverlässigkeit, die den Anforderungen von IT-Abteilungen gerecht wird, die auf Langlebigkeit und minimale Ausfallzeiten angewiesen sind. Der energieeffiziente Betrieb mit einem Verbrauch von 7,5 W beim Lesen und 6,5 W beim Schreiben trägt zur Reduzierung der Gesamtbetriebskosten bei, während die Unterstützung von S.M.A.R.T. eine proaktive Überwachung des Laufwerks ermöglicht. Dieses Produkt ist die ideale Wahl für Unternehmen, die auf eine zukunftssichere Speicherlösung setzen möchten.
Technische Daten
| Brand | LENOVO |
|---|---|
| Co2 Savings | 7.33 |
| Betriebsbedingungen | |
|---|---|
| Betriebstemperatur | 0 - 70 °C |
| Maximum Operationshöhe | 3050 m |
| Relative Luftfeuchtigkeit in Betrieb | 5 - 95% |
| Stoßfestigkeit außer Betrieb | 1500 G |
| Temperaturbereich bei Lagerung | -40 - 85 °C |
| Vibrationen außer Betrieb | 20 G |
| Energie | |
| Energieverbrauch (lesen) | 7,5 W |
| Energieverbrauch (schreiben) | 6,5 W |
| Gewicht und Abmessungen | |
| Breite | 22 mm |
| Gewicht | 9 g |
| Höhe | 3,8 mm |
| Tiefe | 110 mm |
| Merkmale | |
| ECC | Ja |
| End-to-End Datenschutz | Ja |
| Hardwareverschlüsselung | Ja |
| Komponente für | Server/Arbeitsstation |
| Laufwerk schreibt pro Tag (DWPD) | 1 |
| Mittlere Betriebsdauer zwischen Ausfällen (MTBF) | 2000000 h |
| NVMe | Ja |
| S.M.A.R.T. Unterstützung | Ja |
| SSD Speicherkapazität | 960 GB |
| SSD-Formfaktor | M.2 |
| Schnittstelle | PCI Express 4.0 |
| Sequentielle Latenzzeit - Lesen (bis zu) | 20 µs |
| Sequentielle Latenzzeit - Schreiben (bis zu) | 20 µs |
| Speichertyp | V-NAND |
| Unkorrigierbare Bit Error-Rate (UBER) | < 1 per 10^17 bits read |
| Zertifizierung | c-UL-us CE TUV CB CE (EU) |
| Zufällige Latenzzeit - Lesen (bis zu) | 75 µs |
| Zufällige Latenzzeit - Schreiben (bis zu) | 30 µs |
| Zufälliges Lesen (4KB) | 550000 IOPS |
| Zufälliges Schreiben (4KB) | 60000 IOPS |
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